半導體精密清洗專用：Atomax AM 系列型號選型指南

發布日期：2026-03-30      瀏覽次數：40

在半導體制造的濕法清洗、光刻、刻蝕后處理等關鍵工序中，5μm 級超細霧化、零堵塞、高潔凈、精準流量控制是保障晶圓良率與制程穩定性的核心要求。日本 Atomax AM 系列作為半導體精密清洗的標1桿方案，以穩定 5μm 霧化、微量至中流量全覆蓋、高潔凈材質適配三大核心優勢，精準匹配從先1進制程到量產線的全場景需求。本指南聚焦半導體清洗全流程，從型號參數、場景匹配、材質選型到工藝參數，為你提供一站式精準選型方案。

一、AM 系列核心定位：半導體精密清洗的專屬解決方案

Atomax AM 系列為低粘度（≤50cP）、高潔凈、微量至中流量的精密霧化場景設計，核心技術與性能完1全貼合半導體清洗嚴苛要求：

• 穩定 5μm 超細霧化：專1利外混合渦流結構，液滴粒徑均勻、CV 值優異，可深入 3D NAND、FinFET 等高深寬比結構，實現無1死角清洗；

• 高潔凈無殘留：全系列采用 SUS316L / 陶瓷 / PTFE 等高潔凈材質，無金屬析出、無顆粒污染，適配 SC1/SC2、去離子水、光刻膠剝離液等半導體專用介質；

• 防堵低耗：大流道設計，適配低粘度、低固含清洗液，長期運行無堵塞、無滴漏，大幅降低停機維護頻率；

• 微型化易集成：體積小巧，適配晶圓清洗機、濕法臺、光刻顯影設備等精密設備的緊湊安裝空間。

二、AM 系列四大型號：參數與半導體清洗場景精準匹配

1. AM6：超微量極1致精密，先1進制程核心首1選

核心參數：

• 霧化粒徑：≈5μm（穩定）

• 流量范圍：0.1–1 L/h（超微量）

• 工作壓力：2–5 bar（低壓適配）

• 噴霧角度：30°–60°（窄角精準覆蓋）

• 適配介質：去離子水、光刻膠、微量清洗劑、低粘度剝離液

半導體專屬場景：

• 7nm 及以下先1進制程晶圓預清洗、光刻前超精密清洗；

• 3D NAND、FinFET 高深寬比結構的微觀清洗，解決傳統清洗的 “陰影效應"；

• 微型芯片、MEMS 器件、晶圓邊緣（Edge）的精準清洗；

• 實驗室 / 研發線的微量清洗、工藝驗證。

選型要點：追求極1致微量 + 超高潔凈 + 無1死角時優先選擇，適合單工位、小面積、高精度制程。

2. AM12：微量量產平衡，通用清洗主力

核心參數：

• 霧化粒徑：≈5μm（穩定）

• 流量范圍：1–3 L/h（微量量產）

• 工作壓力：2–5 bar

• 噴霧角度：45°–70°（中等覆蓋）

• 適配介質：去離子水、SC1/SC2 清洗液、IPA、低粘度蝕刻液

半導體專屬場景：

• 晶圓批量預清洗、光刻后顯影清洗、刻蝕后殘留物清洗；

• 28nm–14nm 制程的常規濕法清洗、晶圓表面顆粒去除；

• 多工位清洗機、批量式濕法臺的主力噴嘴；

• 半導體封裝前的晶圓 / 芯片表面清潔。

選型要點：精度與效率兼顧，適合量產線通用清洗，是半導體清洗的主流選擇。

3. AM25：中流量高效覆蓋，大面積清洗優選

核心參數：

• 霧化粒徑：≈5μm（穩定）

• 流量范圍：3–8 L/h（中流量）

• 工作壓力：2–6 bar

• 噴霧角度：60°–80°（寬角覆蓋）

• 適配介質：去離子水、高流量清洗劑、批量式清洗液

半導體專屬場景：

• 大尺寸晶圓（300mm/450mm）的全表面均勻清洗；

• 批量式晶圓清洗、濕法臺大面積覆蓋；

• 光刻膠剝離、氧化層去除等需要高流量的清洗工序；

• 半導體設備腔體、托盤的在線清洗（CIP）。

選型要點：大流量 + 寬覆蓋，適合大面積、高產能的量產線清洗。

4. AM45：中流量高覆蓋，高產能清洗方案

核心參數：

• 霧化粒徑：≈5μm（穩定）

• 流量范圍：8–15 L/h（中高流量）

• 工作壓力：3–6 bar

• 噴霧角度：70°–90°（廣角覆蓋）

• 適配介質：去離子水、批量清洗劑、高流量剝離液

半導體專屬場景：

• 超高產能量產線的晶圓批量清洗；

• 大尺寸晶圓（450mm）的全表面快速清洗；

• 半導體設備的大面積腔體、載具清洗；

• 刻蝕后、沉積后的高流量清洗工序。

選型要點：高流量 + 廣角覆蓋，適合高產能、大面積的批量清洗。

三、半導體清洗全流程：AM 系列精準選型對照表

表格

清洗工序	核心需求	推薦型號	關鍵優勢	工藝效果
晶圓預清洗	超微量、無1死角、高潔凈	AM6	5μm 超細霧化，深入微觀結構	顆粒去除率≥95%，缺陷密度降低 30%+
光刻前清洗	微量、均勻、無殘留	AM12	穩定霧化，適配光刻膠環境	表面金屬離子＜1E10 atoms/cm2
刻蝕后清洗	中流量、覆蓋廣、高效	AM25/AM45	寬角覆蓋，快速去除殘留物	刻蝕殘留物去除率≥98%
3D 結構清洗	超細霧化、無1死角	AM6/AM12	液滴滲透高深寬比結構	解決陰影效應，結構無損傷
批量量產清洗	平衡精度與產能	AM12/AM25	流量適配量產線，穩定運行	良率提升 5%–8%，停機率降低 40%

四、材質選型：適配半導體嚴苛環境，保障潔凈與耐腐

半導體清洗涉及強酸、強堿、有機溶劑、高潔凈等特殊工況，AM 系列提供高潔凈、耐腐、耐高溫的材質組合，按需選擇：

• SUS316L（標準）：適配常規去離子水、中性清洗液，高潔凈、無金屬析出，性價比最1高；

• PTFE/PEEK（耐腐）：適配強酸（HF、HCl）、強堿（NaOH）、有機溶劑（IPA、丙酮），無腐蝕、無顆粒污染；

• 99.6% 氧化鋁陶瓷（超高潔凈）：適配超純水、半導體級清洗劑，零金屬析出、耐磨損，適合 10nm 及以下先1進制程；

• 哈氏合金 C-276（強腐蝕）：適配強酸性、強氧化性清洗液，如 SC1/SC2、等離子體清洗后處理。

五、工藝參數匹配：精準設置，最1大化清洗效果

1. 壓力與流量匹配

• 推薦工作壓力：2–6 bar（低壓適配，無需高壓泵，降低能耗）；

• 流量設置：根據晶圓尺寸、清洗面積、產能需求，匹配對應型號流量，避免流量不足或過量；

• 流量控制：AM 系列流量誤差＜±5%，精準匹配清洗工藝要求。

2. 噴霧角度與安裝

• 噴霧角度：**30°–90°** 可調，根據晶圓尺寸、清洗區域選擇；

• 安裝距離：50–150mm（噴嘴到晶圓表面），確保霧化均勻、無飛濺；

• 安裝方式：垂直 / 傾斜安裝，適配晶圓旋轉、噴淋式清洗機。

3. 介質適配

• 粘度要求：≤50cP（AM 系列適配低粘度介質，如去離子水、IPA、光刻膠）；

• 溫度范圍：0–80℃（常規），可定制耐高溫材質（≤120℃）。

六、選型核心口訣（半導體清洗專屬）

先1進制程選 AM6，超微無1死角；
量產通用選 AM12，平衡精度與產能；
大面積清洗選 AM25/45，高效覆蓋；
腐蝕環境選 PTFE / 陶瓷，高潔凈無殘留；
低壓適配、精準流量，AM 系列保障良率。

七、選型總結

Atomax AM 系列憑借5μm 穩定霧化、高潔凈材質、全流量覆蓋、防堵低耗的核心優勢，成為半導體精密清洗的首1選方案。從先1進制程的微觀清洗到量產線的批量清洗，從常規介質到強腐蝕環境，AM 系列均可精準匹配。
遵循 “按制程選型號、按介質選材質、按產能選流量" 的原則，即可快速鎖定最1優方案，提升晶圓清洗良率、降低停機維護成本、保障制程穩定性。